1.请详细讲一下内存的知识
内存在电脑中起着举足轻重的作用。
内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）。只不过因为RAM是其中最重要的存储器。
通常所说的内存即指电脑系统中的RAM。RAM要求每时每刻都不断地供电，否则数据会丢失。
如果在关闭电源以后RAM中的数据也不丢失就好了，这样就可以在每一次开机时都保证电脑处于上一次关机的状态，而不必每次都重新启动电脑，重新打开应用程序了。但是RAM要求不断的电源供应，那有没有办法解决这个问题呢？随着技术的进步，人们想到了一个办法，即给RAM供应少量的电源保持RAM的数据不丢失，这就是电脑的休眠功能，特别在Win2000里这个功能得到了很好的应用，休眠时电源处于连接状态，但是耗费少量的电能。
按内存条的接口形式，常见内存条有两种：单列直插内存条（SIMM），和双列直插内存条（DIMM）。SIMM内存条分为30线，72线两种。
DIMM内存条与SIMM内存条相比引脚增加到168线。DIMM可单条使用，不同容量可混合使用，SIMM必须成对使用。
按内存的工作方式，内存又有FPA EDO DRAM和SDRAM（同步动态RAM）等形式。 FPA(FAST PAGE MODE)RAM 快速页面模式随机存取存储器：这是较早的电脑系统普通使用的内存，它每个三个时钟脉冲周期传送一次数据。
EDO(EXTENDED DATA OUT)RAM 扩展数据输出随机存取存储器：EDO内存取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，他每个两个时钟脉冲周期输出一次数据，大大地缩短了存取时间，是存储速度提高30%。EDO一般是72脚，EDO内存已经被SDRAM所取代。
S(SYSNECRONOUS)DRAM 同步动态随机存取存储器：SDRAM为168脚，这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使CPU和RAM能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据，速度比EDO内存提高50%。
DDR(DOUBLE DATA RAGE)RAM :SDRAM的更新换代产品，他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。 RDRAM(RAMBUS DRAM) 存储器总线式动态随机存取存储器；RDRAM是RAMBUS公司开发的具有系统带宽，芯片到芯片接口设计的新型DRAM，他能在很高的频率范围内通过一个简单的总线传输数据。
他同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。INTEL将在其820芯片组产品中加入对RDRAM的支持。
内存的参数主要有两个：存储容量和存取时间。存储容量越大，电脑能记忆的信息越多。
存取时间则以纳秒（NS）为单位来计算。一纳秒等于10^9秒。
数字越小，表明内存的存取速度越快。
2.请详细讲一下内存的知识
内存在电脑中起着举足轻重的作用。
内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）。只不过因为RAM是其中最重要的存储器。
通常所说的内存即指电脑系统中的RAM。RAM要求每时每刻都不断地供电，否则数据会丢失。
如果在关闭电源以后RAM中的数据也不丢失就好了，这样就可以在每一次开机时都保证电脑处于上一次关机的状态，而不必每次都重新启动电脑，重新打开应用程序了。但是RAM要求不断的电源供应，那有没有办法解决这个问题呢？随着技术的进步，人们想到了一个办法，即给RAM供应少量的电源保持RAM的数据不丢失，这就是电脑的休眠功能，特别在Win2000里这个功能得到了很好的应用，休眠时电源处于连接状态，但是耗费少量的电能。
按内存条的接口形式，常见内存条有两种：单列直插内存条（SIMM），和双列直插内存条（DIMM）。SIMM内存条分为30线，72线两种。
DIMM内存条与SIMM内存条相比引脚增加到168线。DIMM可单条使用，不同容量可混合使用，SIMM必须成对使用。
按内存的工作方式，内存又有FPA EDO DRAM和SDRAM（同步动态RAM）等形式。 FPA(FAST PAGE MODE)RAM 快速页面模式随机存取存储器：这是较早的电脑系统普通使用的内存，它每个三个时钟脉冲周期传送一次数据。
EDO(EXTENDED DATA OUT)RAM 扩展数据输出随机存取存储器：EDO内存取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，他每个两个时钟脉冲周期输出一次数据，大大地缩短了存取时间，是存储速度提高30%。EDO一般是72脚，EDO内存已经被SDRAM所取代。
S(SYSNECRONOUS)DRAM 同步动态随机存取存储器：SDRAM为168脚，这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使CPU和RAM能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据，速度比EDO内存提高50%。
DDR(DOUBLE DATA RAGE)RAM :SDRAM的更新换代产品，他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。 RDRAM(RAMBUS DRAM) 存储器总线式动态随机存取存储器；RDRAM是RAMBUS公司开发的具有系统带宽，芯片到芯片接口设计的新型DRAM，他能在很高的频率范围内通过一个简单的总线传输数据。
他同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。INTEL将在其820芯片组产品中加入对RDRAM的支持。
内存的参数主要有两个：存储容量和存取时间。存储容量越大，电脑能记忆的信息越多。
存取时间则以纳秒（NS）为单位来计算。一纳秒等于10^9秒。
数字越小，表明内存的存取速度越快。
3.求助：内存基本知识：DDR DDR2 DDR3 ?
什么是DDR1有时候大家将老的存储技术 DDR 称为 DDR1 ，使之与 DDR2 加以区分。
尽管一般是使用 “DDR” ，但 DDR1 与 DDR 的含义相同。DDR1规格DDR-200: DDR-SDRAM 记忆芯片在100 MHz下运行 DDR-266: DDR-SDRAM DDR2.2G记忆芯片在133 MHz下运行 DDR-333: DDR-SDRAM 记忆芯片在166 MHz下运行 DDR-400: DDR-SDRAM 记忆芯片在200 MHz下运行（JEDEC制定的DDR最高规格） DDR-500: DDR-SDRAM 记忆芯片在250 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格） DDR-600: DDR-SDRAM 记忆芯片在300 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格） DDR-700: DDR-SDRAM 记忆芯片在350 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）什么是 DDR2DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。
它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达 667MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良 .DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会） DDR2内存的频率进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据预读取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
DDR3与DDR2的比较DDR3与DDR2几个主要的不同之处 ：1.突发长度（Burst Length,BL）由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length,BL）也固定为8 DDR3，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
2.寻址时序（Timing）就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2~5之间，而DDR3则在5~11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。
DDR2时AL的范围是0~4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
其中 DDR2 的频率对照表如右图所示。3.DDR3新增的重置（Reset）功能重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。
DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。
当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。
这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。4.DDR3新增ZQ校准功能ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。
这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine,ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
参考电压分成两个在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。点对点连接（Point-to-Point,P2P）这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。
DDR3双列直插内存模块“背面”的测试点在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point,P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。
面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。
目前Intel预计在明年第二季所推。
4.哪位高手给我详细讲解一下内存方面的知识
内存条是连接CPU 和其他设备的通道！起到缓冲和数据交换作用！！！！一、内存的作用与分类 内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。
我们平常使用的程序，如Windows98系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。
内存分为DRAM和ROM两种，前者又叫动态随机存储器，它的一个主要特征是断电后数据会丢失，我们平时说的内存就是指这一种；后者又叫只读存储器，我们平时开机首先启动的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去调用硬盘中的Windows98或Windows95系统，ROM的一个主要特征是断电后数据不会丢失。二、内存发展简史 起初，电脑所使用的内存是一块块的IC，我们必须把它们焊接到主机板上才能正常使用，一旦某一块内存IC坏了，必须焊下来才能更换，这实在是太费劲了。
后来，电脑设计人员发明了模块化的条装内存，每一条上集成了多块内存IC，相应地，在主板上设计了内存插槽，这样，内存条就可随意拆卸了，从此，内存的维修和扩充都变得非常方便。根据内存条上的引脚多少，我们可以把内存条分为30线、72线、168线等几种。
30线与72线的内存条又称为单列存储器模块SIMM,168线的内存条又称为双列存储器模块DIMM。目前30线内存条已经没有了；前两年的流行品种是72线的内存条，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等几种；目前市场的主流品种是168线内存条，168线内存条的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等几种，一般的电脑插一条就OK了，不过，只有基于VX、TX、BX芯片组的主板才支持168线的内存条。
三、内存的性能指标 评价内存条的性能指标一共有四个：（1） 存储容量：即一根内存条可以容纳的二进制信息量，如目前常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。（2） 存取速度：即两次独立的存取操作之间所需的最短时间，又称为存储周期，半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。
（3） 存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间来衡量，可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。（4） 性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容，性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。
四、什么是EDO和SDRAM 前面我们已经按引脚数的多少把内存条分为30、72和168线等几种，其实，它们在结构和性能上还有着本质的区别。譬如，72线内存条是一种EDO内存，而现今主流的168线内存条几乎清一色又都是SDRAM内存；目前，EDO内存的存取速度基本保持在60纳秒左右，能够适应75兆赫兹的外频，但跑83兆赫兹则有点勉为其难了；而SDRAM内存的存取速度一般能达到10纳秒左右，能够适应100兆赫兹以上的外频。
所以从97年底起EDO内存已逐步被SDRAM所取代，至今，几乎已无人再用EDO来装机了，只有升级扩充旧电脑内存时还用得着它。其实，EDO内存被SDRAM所取代有其必然性，因为，目前市场上主流CPU的主频已高达450兆赫兹，未来CPU的主频还会越来越高。
但由于传统内存条的读写速度远远跟不上CPU的速度，迫使CPU插入等待指令周期，从而大大降低了电脑的整体性能。为了缓解这个内存瓶颈的问题，我们就必须采用新的内存结构，即SDRAM。
因为，从理论上说，SDRAM与CPU频率同步，共享一个时钟周期。SDRAM内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储阵列访问数据的同时，另一个已准备好读写数据，通过两个存储阵列的紧密切换，读取效率得到成倍提高。
目前，最新的SDRAM的存储速度已高达5纳秒，所以， SDRAM已成为近期内存发展的主流。当然，EDO内存也并没有完全举手投降，相反，凭借其出色的视频特性和低廉的价格，在显示内存等领域仍是连连得手，众多低档显卡更是无一例外地采用EDO内存。
另外，许多硬盘、光驱和打印机也是采用EDO缓存，可见，EDO内存还真是宝刀不老啊！内存选购 选购内存条时除了要考虑前面介绍的引脚数、容量和存取速度之外，还要考虑以下几个因素：（1） 奇偶性 为了保证内存存取数据的的准确性，有些内存条上有奇偶校验位，如3片或9片装的内存条。如果您对电脑运行的准确性要求很高，最好选择有奇偶校验功能的内存条。
（2） 价格 虽然现在的内存条和以前相比，价格已经大幅下降，但不同的品牌和性能，价格还是有一些差别，您可根据自己的需要和预算情况选择适合自己的价位。另外，购买内存时您还须注意品牌和质量，目前，生产内存的厂家较多，质量较为可靠的品牌有：南韩LG、日本的东芝、日本精工、日本电气公司、日本松下。
内存在电脑中起着举足轻重的作用。内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）。
只不过因为RAM是其中最重要的存储器。通常所说的内存即指电脑系统。
5.常见内存型号基础知识是什么
DDR=DoubleDataRate双倍速率同步固态随机处理器
严格的说DDR应该叫DDRSDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDRSDRAM，就认为是SDRAM。DDRSDRAM是 DoubleDataRateSDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用 SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
什么是DDR1?
有时候大家将老的存储技术DDR称为DDR1，使之与DDR2加以区分。尽管一般是使用“DDR”，但DDR1与DDR的含义相同。
DDR1规格
DDR-200:DDR-SDRAM记忆芯片在100MHz下运行DDR-266:DDR-SDRAM记忆芯片在133MHz下运行DDR- 333:DDR-SDRAM记忆芯片在166MHz下运行DDR-400:DDR-SDRAM记忆芯片在200MHz下运行（JEDEC制定的DDR最高 规格）DDR-500:DDR-SDRAM记忆芯片在250MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）DDR-600:DDR-SDRAM记忆芯片在 300MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）DDR-700:DDR-SDRAM记忆芯片在350MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）
什么是DDR2?
DDR2/DDRII(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准， 它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR 内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运 行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装 可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的 DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工 作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
什么是DDR3?
DDR3是针对Intel新型芯片的一代内存技术（但目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，和DDR2相比优势如下：
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为16MX32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存颗粒规格 多为32MX32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存 功耗也能进一步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变 更到DDR2,DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。
目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。
小提示：大家通过阅读以上为大家详细介绍的常见内存型号基础知识，对于电脑内存是不是有了个深刻的理解了呢！希望能够帮助到大家学习到更多关于电脑基础知识！
6.内存基本常识什么叫单、双通道
外频、内存频率、CPU的前端总线的的关系。
在以前P3的时候，133的外频，内存的频率就是133,CPU的前端总线也是133，三者是一回事。现在P4的CPU，在133的外频下，前端总线达到了533MHZ，内存频率是266(DDR266)。
问题出现了，前端总线是CPU与内存发生联系的桥梁，P4这时候的前端总线达到533之高，而内存只有266的速度，内存比CPU的前端总线慢了一半，理论上CPU有一半时间要等内存传数据过来才能处理数据，等于内存拖了CPU的后腿。这样的情况的确存在的，845和848的主板就是这样。
于是提出一个双通道内存的概念，两条内存使用两条通道一起工作，一起提供数据，等于速度又增加一倍，两条DDR266就有266X2=533的速度，刚好是P4 CPU的前端总线速度，没有拖后腿的问题。外频提升到200的时候，CPU前端总线变为800，两条DDR400内存组成双通道，内存传输速度也是800了。
所以要P4发挥好，一定要用双通道内存，865以上的主板都提供这个功能。但845和848主板就没有内存双通道功能了。
内存双通道一般要求按主板上内存插槽的颜色成对使用，此外有些主板还要在BIOS做一下设置，一般主板说明书会有说明。当系统已经实现双通道后，有些主板在开机自检时会有提示，可以仔细看看。
由于自检速度比较快，所以可能看不到。因此可以用一些软件查看，很多软件都可以检查，比如cpu-z，比较小巧。
在“memory”这一项中有“channels”项目，如果这里显示“Dual”这样的字，就表示已经实现了双通道。两条256M的内存构成双通道效果会比一条512M的内存效果好，因为一条内存无法构成双通道。
