1.请详细讲一下内存的知识
内存在电脑中起着举足轻重的作用。
内存一般采用半导体存储单元,包括随机存储器(RAM),只读存储器(ROM),以及高速缓存(CACHE)。只不过因为RAM是其中最重要的存储器。
通常所说的内存即指电脑系统中的RAM。RAM要求每时每刻都不断地供电,否则数据会丢失。
如果在关闭电源以后RAM中的数据也不丢失就好了,这样就可以在每一次开机时都保证电脑处于上一次关机的状态,而不必每次都重新启动电脑,重新打开应用程序了。但是RAM要求不断的电源供应,那有没有办法解决这个问题呢?随着技术的进步,人们想到了一个办法,即给RAM供应少量的电源保持RAM的数据不丢失,这就是电脑的休眠功能,特别在Win2000里这个功能得到了很好的应用,休眠时电源处于连接状态,但是耗费少量的电能。
按内存条的接口形式,常见内存条有两种:单列直插内存条(SIMM),和双列直插内存条(DIMM)。SIMM内存条分为30线,72线两种。
DIMM内存条与SIMM内存条相比引脚增加到168线。DIMM可单条使用,不同容量可混合使用,SIMM必须成对使用。
按内存的工作方式,内存又有FPA EDO DRAM和SDRAM(同步动态RAM)等形式。 FPA(FAST PAGE MODE)RAM 快速页面模式随机存取存储器:这是较早的电脑系统普通使用的内存,它每个三个时钟脉冲周期传送一次数据。
EDO(EXTENDED DATA OUT)RAM 扩展数据输出随机存取存储器:EDO内存取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔,他每个两个时钟脉冲周期输出一次数据,大大地缩短了存取时间,是存储速度提高30%。EDO一般是72脚,EDO内存已经被SDRAM所取代。
S(SYSNECRONOUS)DRAM 同步动态随机存取存储器:SDRAM为168脚,这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起,使CPU和RAM能够共享一个时钟周期,以相同的速度同步工作,每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据,速度比EDO内存提高50%。
DDR(DOUBLE DATA RAGE)RAM :SDRAM的更新换代产品,他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据,这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。 RDRAM(RAMBUS DRAM) 存储器总线式动态随机存取存储器;RDRAM是RAMBUS公司开发的具有系统带宽,芯片到芯片接口设计的新型DRAM,他能在很高的频率范围内通过一个简单的总线传输数据。
他同时使用低电压信号,在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。INTEL将在其820芯片组产品中加入对RDRAM的支持。
内存的参数主要有两个:存储容量和存取时间。存储容量越大,电脑能记忆的信息越多。
存取时间则以纳秒(NS)为单位来计算。一纳秒等于10^9秒。
数字越小,表明内存的存取速度越快。
2.请详细讲一下内存的知识
内存在电脑中起着举足轻重的作用。
内存一般采用半导体存储单元,包括随机存储器(RAM),只读存储器(ROM),以及高速缓存(CACHE)。只不过因为RAM是其中最重要的存储器。
通常所说的内存即指电脑系统中的RAM。RAM要求每时每刻都不断地供电,否则数据会丢失。
如果在关闭电源以后RAM中的数据也不丢失就好了,这样就可以在每一次开机时都保证电脑处于上一次关机的状态,而不必每次都重新启动电脑,重新打开应用程序了。但是RAM要求不断的电源供应,那有没有办法解决这个问题呢?随着技术的进步,人们想到了一个办法,即给RAM供应少量的电源保持RAM的数据不丢失,这就是电脑的休眠功能,特别在Win2000里这个功能得到了很好的应用,休眠时电源处于连接状态,但是耗费少量的电能。
按内存条的接口形式,常见内存条有两种:单列直插内存条(SIMM),和双列直插内存条(DIMM)。SIMM内存条分为30线,72线两种。
DIMM内存条与SIMM内存条相比引脚增加到168线。DIMM可单条使用,不同容量可混合使用,SIMM必须成对使用。
按内存的工作方式,内存又有FPA EDO DRAM和SDRAM(同步动态RAM)等形式。 FPA(FAST PAGE MODE)RAM 快速页面模式随机存取存储器:这是较早的电脑系统普通使用的内存,它每个三个时钟脉冲周期传送一次数据。
EDO(EXTENDED DATA OUT)RAM 扩展数据输出随机存取存储器:EDO内存取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔,他每个两个时钟脉冲周期输出一次数据,大大地缩短了存取时间,是存储速度提高30%。EDO一般是72脚,EDO内存已经被SDRAM所取代。
S(SYSNECRONOUS)DRAM 同步动态随机存取存储器:SDRAM为168脚,这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起,使CPU和RAM能够共享一个时钟周期,以相同的速度同步工作,每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据,速度比EDO内存提高50%。
DDR(DOUBLE DATA RAGE)RAM :SDRAM的更新换代产品,他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据,这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。 RDRAM(RAMBUS DRAM) 存储器总线式动态随机存取存储器;RDRAM是RAMBUS公司开发的具有系统带宽,芯片到芯片接口设计的新型DRAM,他能在很高的频率范围内通过一个简单的总线传输数据。
他同时使用低电压信号,在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。INTEL将在其820芯片组产品中加入对RDRAM的支持。
内存的参数主要有两个:存储容量和存取时间。存储容量越大,电脑能记忆的信息越多。
存取时间则以纳秒(NS)为单位来计算。一纳秒等于10^9秒。
数字越小,表明内存的存取速度越快。
3.求助:内存基本知识:DDR DDR2 DDR3 ?
什么是DDR1有时候大家将老的存储技术 DDR 称为 DDR1 ,使之与 DDR2 加以区分。
尽管一般是使用 “DDR” ,但 DDR1 与 DDR 的含义相同。DDR1规格DDR-200: DDR-SDRAM 记忆芯片在100 MHz下运行 DDR-266: DDR-SDRAM DDR2.2G记忆芯片在133 MHz下运行 DDR-333: DDR-SDRAM 记忆芯片在166 MHz下运行 DDR-400: DDR-SDRAM 记忆芯片在200 MHz下运行(JEDEC制定的DDR最高规格) DDR-500: DDR-SDRAM 记忆芯片在250 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格) DDR-600: DDR-SDRAM 记忆芯片在300 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格) DDR-700: DDR-SDRAM 记忆芯片在350 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格)什么是 DDR2DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。
它在 DDR 内存技术的基础上加以改进,从而其传输速度更快(可达 667MHZ ),耗电量更低,散热性能更优良 .DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会) DDR2内存的频率进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据预读取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
DDR3与DDR2的比较DDR3与DDR2几个主要的不同之处 :1.突发长度(Burst Length,BL)由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固定为8 DDR3,而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。
2.寻址时序(Timing)就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2~5之间,而DDR3则在5~11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。
DDR2时AL的范围是0~4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。
其中 DDR2 的频率对照表如右图所示。3.DDR3新增的重置(Reset)功能重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。
DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。
当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动静。
这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。4.DDR3新增ZQ校准功能ZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。
这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎(On-Die Calibration Engine,ODCE)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后,将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
参考电压分成两个在DDR3系统中,对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ,这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。点对点连接(Point-to-Point,P2P)这是为了提高系统性能而进行的重要改动,也是DDR3与DDR2的一个关键区别。
DDR3双列直插内存模块“背面”的测试点在DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点(Point-to-two-Point,P22P)的关系(双物理Bank的模组),从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面,与DDR2的类别相类似,也有标准DIMM(台式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(笔记本电脑)、FB-DIMM2(服务器)之分,其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2(高级内存缓冲器)。
面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势,此外,由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能,在功耗方面DDR3也要出色得多,因此,它可能首先受到移动设备的欢迎,就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域,DDR3未来也是一片光明。
目前Intel预计在明年第二季所推。
4.哪位高手给我详细讲解一下内存方面的知识
内存条是连接CPU 和其他设备的通道!起到缓冲和数据交换作用!!!!一、内存的作用与分类 内存是电脑中的主要部件,它是相对于外存而言的。
我们平常使用的程序,如Windows98系统、打字软件、游戏软件等,一般都是安装在硬盘等外存上的,但仅此是不能使用其功能的,必须把它们调入内存中运行,才能真正使用其功能,我们平时输入一段文字,或玩一个游戏,其实都是在内存中进行的。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上,而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。
内存分为DRAM和ROM两种,前者又叫动态随机存储器,它的一个主要特征是断电后数据会丢失,我们平时说的内存就是指这一种;后者又叫只读存储器,我们平时开机首先启动的是存于主板上ROM中的BIOS程序,然后再由它去调用硬盘中的Windows98或Windows95系统,ROM的一个主要特征是断电后数据不会丢失。二、内存发展简史 起初,电脑所使用的内存是一块块的IC,我们必须把它们焊接到主机板上才能正常使用,一旦某一块内存IC坏了,必须焊下来才能更换,这实在是太费劲了。
后来,电脑设计人员发明了模块化的条装内存,每一条上集成了多块内存IC,相应地,在主板上设计了内存插槽,这样,内存条就可随意拆卸了,从此,内存的维修和扩充都变得非常方便。根据内存条上的引脚多少,我们可以把内存条分为30线、72线、168线等几种。
30线与72线的内存条又称为单列存储器模块SIMM,168线的内存条又称为双列存储器模块DIMM。目前30线内存条已经没有了;前两年的流行品种是72线的内存条,其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等几种;目前市场的主流品种是168线内存条,168线内存条的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等几种,一般的电脑插一条就OK了,不过,只有基于VX、TX、BX芯片组的主板才支持168线的内存条。
三、内存的性能指标 评价内存条的性能指标一共有四个:(1) 存储容量:即一根内存条可以容纳的二进制信息量,如目前常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。(2) 存取速度:即两次独立的存取操作之间所需的最短时间,又称为存储周期,半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。
(3) 存储器的可靠性:存储器的可靠性用平均故障间隔时间来衡量,可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。(4) 性能价格比:性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容,性能价格比是一个综合性指标,对于不同的存储器有不同的要求。
四、什么是EDO和SDRAM 前面我们已经按引脚数的多少把内存条分为30、72和168线等几种,其实,它们在结构和性能上还有着本质的区别。譬如,72线内存条是一种EDO内存,而现今主流的168线内存条几乎清一色又都是SDRAM内存;目前,EDO内存的存取速度基本保持在60纳秒左右,能够适应75兆赫兹的外频,但跑83兆赫兹则有点勉为其难了;而SDRAM内存的存取速度一般能达到10纳秒左右,能够适应100兆赫兹以上的外频。
所以从97年底起EDO内存已逐步被SDRAM所取代,至今,几乎已无人再用EDO来装机了,只有升级扩充旧电脑内存时还用得着它。其实,EDO内存被SDRAM所取代有其必然性,因为,目前市场上主流CPU的主频已高达450兆赫兹,未来CPU的主频还会越来越高。
但由于传统内存条的读写速度远远跟不上CPU的速度,迫使CPU插入等待指令周期,从而大大降低了电脑的整体性能。为了缓解这个内存瓶颈的问题,我们就必须采用新的内存结构,即SDRAM。
因为,从理论上说,SDRAM与CPU频率同步,共享一个时钟周期。SDRAM内含两个交错的存储阵列,当CPU从一个存储阵列访问数据的同时,另一个已准备好读写数据,通过两个存储阵列的紧密切换,读取效率得到成倍提高。
目前,最新的SDRAM的存储速度已高达5纳秒,所以, SDRAM已成为近期内存发展的主流。当然,EDO内存也并没有完全举手投降,相反,凭借其出色的视频特性和低廉的价格,在显示内存等领域仍是连连得手,众多低档显卡更是无一例外地采用EDO内存。
另外,许多硬盘、光驱和打印机也是采用EDO缓存,可见,EDO内存还真是宝刀不老啊!内存选购 选购内存条时除了要考虑前面介绍的引脚数、容量和存取速度之外,还要考虑以下几个因素:(1) 奇偶性 为了保证内存存取数据的的准确性,有些内存条上有奇偶校验位,如3片或9片装的内存条。如果您对电脑运行的准确性要求很高,最好选择有奇偶校验功能的内存条。
(2) 价格 虽然现在的内存条和以前相比,价格已经大幅下降,但不同的品牌和性能,价格还是有一些差别,您可根据自己的需要和预算情况选择适合自己的价位。另外,购买内存时您还须注意品牌和质量,目前,生产内存的厂家较多,质量较为可靠的品牌有:南韩LG、日本的东芝、日本精工、日本电气公司、日本松下。
内存在电脑中起着举足轻重的作用。内存一般采用半导体存储单元,包括随机存储器(RAM),只读存储器(ROM),以及高速缓存(CACHE)。
只不过因为RAM是其中最重要的存储器。通常所说的内存即指电脑系统。
5.常见内存型号基础知识是什么
DDR=DoubleDataRate双倍速率同步固态随机处理器
严格的说DDR应该叫DDRSDRAM,人们习惯称为DDR,部分初学者也常看到DDRSDRAM,就认为是SDRAM。DDRSDRAM是 DoubleDataRateSDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用 SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。
什么是DDR1?
有时候大家将老的存储技术DDR称为DDR1,使之与DDR2加以区分。尽管一般是使用“DDR”,但DDR1与DDR的含义相同。
DDR1规格
DDR-200:DDR-SDRAM记忆芯片在100MHz下运行DDR-266:DDR-SDRAM记忆芯片在133MHz下运行DDR- 333:DDR-SDRAM记忆芯片在166MHz下运行DDR-400:DDR-SDRAM记忆芯片在200MHz下运行(JEDEC制定的DDR最高 规格)DDR-500:DDR-SDRAM记忆芯片在250MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格)DDR-600:DDR-SDRAM记忆芯片在 300MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格)DDR-700:DDR-SDRAM记忆芯片在350MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格)
什么是DDR2?
DDR2/DDRII(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准, 它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR 内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运 行。
此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装 可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的 DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工 作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
什么是DDR3?
DDR3是针对Intel新型芯片的一代内存技术(但目前主要用于显卡内存),频率在800M以上,和DDR2相比优势如下:
(1)功耗和发热量较小:吸取了DDR2的教训,在控制成本的基础上减小了能耗和发热量,使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高:由于能耗降低,DDR3可实现更高的工作频率,在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点,同时还可作为显卡的卖点之一,这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本:DDR2显存颗粒规格多为16MX32bit,搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存颗粒规格 多为32MX32bit,单颗颗粒容量较大,4颗即可构成128MB显存。如此一来,显卡PCB面积可减小,成本得以有效控制,此外,颗粒数减少后,显存 功耗也能进一步降低。
(4)通用性好:相对于DDR变 更到DDR2,DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变,搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存,这对厂商降低成本大有好处。
目前,DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。
小提示:大家通过阅读以上为大家详细介绍的常见内存型号基础知识,对于电脑内存是不是有了个深刻的理解了呢!希望能够帮助到大家学习到更多关于电脑基础知识!
6.内存基本常识什么叫单、双通道
外频、内存频率、CPU的前端总线的的关系。
在以前P3的时候,133的外频,内存的频率就是133,CPU的前端总线也是133,三者是一回事。现在P4的CPU,在133的外频下,前端总线达到了533MHZ,内存频率是266(DDR266)。
问题出现了,前端总线是CPU与内存发生联系的桥梁,P4这时候的前端总线达到533之高,而内存只有266的速度,内存比CPU的前端总线慢了一半,理论上CPU有一半时间要等内存传数据过来才能处理数据,等于内存拖了CPU的后腿。这样的情况的确存在的,845和848的主板就是这样。
于是提出一个双通道内存的概念,两条内存使用两条通道一起工作,一起提供数据,等于速度又增加一倍,两条DDR266就有266X2=533的速度,刚好是P4 CPU的前端总线速度,没有拖后腿的问题。外频提升到200的时候,CPU前端总线变为800,两条DDR400内存组成双通道,内存传输速度也是800了。
所以要P4发挥好,一定要用双通道内存,865以上的主板都提供这个功能。但845和848主板就没有内存双通道功能了。
内存双通道一般要求按主板上内存插槽的颜色成对使用,此外有些主板还要在BIOS做一下设置,一般主板说明书会有说明。当系统已经实现双通道后,有些主板在开机自检时会有提示,可以仔细看看。
由于自检速度比较快,所以可能看不到。因此可以用一些软件查看,很多软件都可以检查,比如cpu-z,比较小巧。
在“memory”这一项中有“channels”项目,如果这里显示“Dual”这样的字,就表示已经实现了双通道。两条256M的内存构成双通道效果会比一条512M的内存效果好,因为一条内存无法构成双通道。